
IT之家12月26日消息,据韩媒SEdaily今天报道,三星将在2026年2月开始大规模量产HBM4芯片,其竞争对手SK海力士也会在大致相同的时间开始量产,成为全球内存半导体行业首例。
业内人士透露,SK海力士将从明年2月起,在韩国京畿道利川M16工厂、清州M15X工厂全面启动生产。而三星也将于同一时间在平泽园区启动HBM4量产工作。
据报道,HBM4不只是一次单纯的性能升级,而是转向客制化产品的重要分水岭。其中SK海力士选择与台积电合作,在HBM4的基底Die上采用12nm制程工艺,让带宽相比上代型号提升2倍,能效比提升40%以上。
而三星则凭借Turnkey(IT之家注:一站式)方案、领先制程技术正面迎战,这家厂商选择果断导入10nm先进制程,在内部技术评估中实现11.7Gbps的行业领先性能,因此有足够的自信将量产时间提前至2月。
同时,三星生产出的HBM4芯片大部分都将供应给英伟达的下一代AI加速器系统“Vera Rubin”,计划2026年下旬发布,部分HBM4芯片还将供应给谷歌,用于生产第七代TPU(张量处理单元)。
此前曾有传闻称,三星和SK海力士未来一年的HBM产能已全部售罄重庆配资公司,各大AI巨头正争相采购尽可能多的芯片,亚马逊、谷歌、微软、OpenAI等企业可能遭遇瓶颈。
景盛配资提示:文章来自网络,不代表本站观点。